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后道工序

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BEOL (金属化层)和FEOL (器件)。
CMOS制造工艺

后道工序back end of lineBEOL)是IC制造的第二部分,其中各个器件(晶体管、电容器、电阻器等)与晶圆上的布线(金属化层)互连。常见的金属有和铝。 [1]BEOL通常在晶圆上沉积第一层金属时开始。BEOL包括触点、绝缘层(电介质)、金属层以及用于芯片与封装连接的接合位点。

在最后一个FEOL步骤之后,就会出现一个带有隔离晶体管(没有任何电线)的晶圆。在制造阶段的BEOL部分中,形成接触(焊盘)、互连线、通孔和介电结构。对于现代IC工艺,可以在BEOL中添加 10 多个金属层。

BEOL 步骤:

  1. 源极和漏极区域以及多晶硅区域的硅化。
  2. 添加电介质(第一层,下层是预金属电介质(PMD) – 将金属与硅和多晶硅隔离,对其进行CMP处理
  3. 在 PMD 上打孔,并在其中建立接触点。
  4. 添加金属层1
  5. 添加第二个电介质,称为金属间电介质(IMD)
  6. 通过电介质制作通孔以将较低金属与较高金属连接。通过金属CVD工艺填充通孔。
    重复步骤 4-6 以获取所有金属层。
  7. 添加最终钝化层以保护微芯片

1998 年之前,几乎所有芯片都使用铝作为金属互连层。 [2]


BEOL 之后有一个“後段製程”,该工艺不是在洁净室中完成的,通常由不同的公司完成。它包括晶圆测试晶圆背面研磨芯片分离、芯片测试、 IC封装和最终测试。

相关

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参考

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  1. ^ Karen A. Reinhardt and Werner Kern. Handbook of Silicon Wafer Cleaning Technology 2nd. William Andrew. 2008: 202. ISBN 978-0-8155-1554-8. 
  2. ^ Copper Interconnect Architecture. [2024-01-26]. (原始内容存档于2024-01-26). 

进一步阅读

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