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序言
1
具有3微米制程的产品
2
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3微米制程
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维基百科,自由的百科全书
半导体器件制造
金屬氧化物半導體場效電晶體
0
10 µm
– 1971
00
6 µm
– 1974
00
3 µm
– 1977
1.5 µm
– 1981
00
1 µm
– 1984
800 nm
– 1987
600 nm
– 1990
350 nm
– 1993
250 nm
– 1996
180 nm
– 1999
130 nm
– 2001
0
90 nm
– 2003
0
65 nm
– 2005
0
45 nm
– 2007
0
32 nm
– 2009
0
22 nm
– 2012
0
14 nm
– 2014
0
10 nm
– 2016
00
7 nm
– 2018
00
5 nm
– 2020
00
3 nm
– 2022
未來
00
2 nm
~ 2024
晶體管數量
互補式金屬氧化物半導體
半导体器件
(
多閘極電晶體
)
摩尔定律
晶體管數量
半导体
半导体产业
纳电子学
查
论
编
英特尔的半导体制造制程
3
µm
制程
是
半导体制造
制程
的一个水平,大约于1977年左右达成。
[
1
]
[
2
]
这一制程由当时领先的半导体公司如
英特尔
所完成。
具有3微米制程的产品
[
编辑
]
于1977年推出的
Intel 8085
CPU
使用这个制程。
[
1
]
于1978年推出的
Intel 8086
CPU
使用这个制程。
[
3
]
于1979年推出的
Intel 8087
CPU
使用这个制程。
[
3
]
参考资料
[
编辑
]
^
1.0
1.1
Mueller, S.
Microprocessors from 1971 to the Present
. informIT. 2006-07-21
[
2012-05-11
]
. (原始内容
存档
于2015-04-27).
^
Myslewski, R.
Happy 40th birthday, Intel 4004!
. TheRegister. 2011-11-15
[
2016-07-23
]
. (原始内容
存档
于2015-04-27).
^
3.0
3.1
存档副本
.
[
2016-07-23
]
. (原始内容
存档
于2015-04-27).
先前
6微米制程
半导体器件制造
制程
其後
1.5微米制程
分类
:
半导体器件制造