C-V特性曲线
外观
C-V特性曲线(电容电压特性曲线)是用来测量半导体材料和器件的一种方法。当所加电压改变时,电容被测出。方法是使用金属-半导体结(肖特基势垒)或者PN结或者场效应管来得到耗尽层(其中载流子被全部抽走,但仍然有离子化的施主或晶体缺陷)。当电压改变时,耗尽层深浅也发生变化。
应用
[编辑]该测量方法可以得到关于半导体掺杂,晶体缺陷之类的特性。
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/7/78/Illustration_of_C-V_measurement.gif/300px-Illustration_of_C-V_measurement.gif)
金属-氧化物-半导体结构的C-V特性
[编辑]金属-氧化物-半导体结构是MOSFET的一部分,用来控制晶体管沟道中势垒的高低。
对于一个n通道MOSFET来说,该结构的工作特性可分为三个部分,分别与右图对应:
累积区 (Accumulation region)
[编辑]当施加 VGB < 0 时,在n区域的表面会形成一个p通道。 电洞浓度的增加意味着电容增加,如附图C-V曲线左侧部分所示。
空乏区(Depletion region)
[编辑]当一个小的正电压VGB > 0施加在闸极与基极端(如图)时,价带边缘被推离费米能阶,此时基体的电洞远离闸极, 电洞浓度减少,造成低载子浓度, 此时电容变低(如C-V曲线中间所示)。
反转区(Inversion region)
[编辑]当VGB > 0 且够强时,接近闸极端的电子浓度会超过电洞。这个在p-type半导体中,电子浓度(带负电荷)超过电洞(带正电荷)浓度的区域,便是所谓的反转层(inversion layer),如C-V曲线右侧所示。
MOS电容的特性决定了金氧半场效晶体管的操作特性,但是一个完整的金氧半场效晶体管结构还需要一个提供多数载流子(majority carrier)的源极以及接受这些多数载子的汲极。
参考文献
[编辑]- J. Hilibrand and R.D. Gold, "Determination of the Impurity Distribution in Junction Diodes From Capacitance-Voltage Measurements", RCA Review, vol. 21, p. 245, June 1960
- Alain C. Diebold (Editor) (2001). Handbook of Silicon Semiconductor Metrology. CRC Press. pp. 59–60. ISBN 0-8247-0506-8.
- E.H. Nicollian, J.R. Brews (2002). MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology. Wiley. ISBN 0-471-43079-X.
- Andrzej Jakubowski, Henryk M. Przewłocki (1991). Diagnostic Measurements in LSI/VLSI Integrated Circuits Production. World Scientific. p. 159. ISBN 981-02-0282-2.
- Sheng S. Li and Sorin Cristoloveanu (1995). Electrical Characterization of Silicon-On-Insulator Materials and Devices. Springer. Chapter 6, p. 163. ISBN 0-7923-9548-4.