異丁基鍺烷
外觀
異丁基鍺烷 | |
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IUPAC名 isobutylgermane | |
別名 | Isobutylgermanium trihydride |
識別 | |
CAS號 | 768403-89-0 ![]() |
ChemSpider | 21389305 |
SMILES |
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InChI |
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InChIKey | PILXXBFWCYMNMX-UHFFFAOYAD |
性質 | |
化學式 | C4H12Ge |
摩爾質量 | 132.78 g·mol⁻¹ |
外觀 | 無色透明液體 |
密度 | 0.96 g/mL |
熔點 | < -78 °C |
沸點 | 66 °C |
溶解性(水) | 不溶於水 |
相關物質 | |
相關化學品 | GeH4 |
若非註明,所有數據均出自標準狀態(25 ℃,100 kPa)下。 |
異丁基鍺烷(IBGe,化學式:(CH3)2CHCH2GeH3)是一種有機鍺化合物。它是一種無色不穩定的液體,用於有機金屬化學氣相沉積法。在張力硅的應用中,異丁基鍺烷用於形成沉積的鍺薄膜和含鍺的半導體薄膜(例如鍺化硅)。它還用於製備NAND Flash中的GeSbTe。
參考資料
[編輯]拓展閱讀
[編輯]- IBGe: Brief description from National Compound Semiconductor Roadmap.
- Élaboration et Physique des Structures Épitaxiées (LPN) Hétérostructures III-V pour l』optoélectronique sur Si: Article in French from LPN-CNRS, France.
- Designing Novel Organogermanium OMVPE Precursors for High-purity Germanium Films[永久失效連結]; Journal of Crystal Growth, January 25, 2006.
- Ge Precursors for Strained Si and Compound Semiconductors; Semiconductor International, April 1, 2006.
- Development of New Germanium Precursors for SiGe Epitaxy; Deo Shenai and Egbert Woelk, Presentation at 210th ECS Meeting, Cancun, Mexico, October 29, 2006.