异丁基锗烷
外观
异丁基锗烷 | |
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IUPAC名 isobutylgermane | |
别名 | Isobutylgermanium trihydride |
识别 | |
CAS号 | 768403-89-0 ![]() |
ChemSpider | 21389305 |
SMILES |
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InChI |
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InChIKey | PILXXBFWCYMNMX-UHFFFAOYAD |
性质 | |
化学式 | C4H12Ge |
摩尔质量 | 132.78 g·mol⁻¹ |
外观 | 无色透明液体 |
密度 | 0.96 g/mL |
熔点 | < -78 °C |
沸点 | 66 °C |
溶解性(水) | 不溶于水 |
相关物质 | |
相关化学品 | GeH4 |
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。 |
异丁基锗烷(IBGe,化学式:(CH3)2CHCH2GeH3)是一种有机锗化合物。它是一种无色不稳定的液体,用于有机金属化学气相沉积法。在张力硅的应用中,异丁基锗烷用于形成沉积的锗薄膜和含锗的半导体薄膜(例如锗化硅)。它还用于制备NAND Flash中的GeSbTe。
参考资料
[编辑]拓展阅读
[编辑]- IBGe: Brief description from National Compound Semiconductor Roadmap.
- Élaboration et Physique des Structures Épitaxiées (LPN) Hétérostructures III-V pour l’optoélectronique sur Si: Article in French from LPN-CNRS, France.
- Designing Novel Organogermanium OMVPE Precursors for High-purity Germanium Films[永久失效链接]; Journal of Crystal Growth, January 25, 2006.
- Ge Precursors for Strained Si and Compound Semiconductors; Semiconductor International, April 1, 2006.
- Development of New Germanium Precursors for SiGe Epitaxy; Deo Shenai and Egbert Woelk, Presentation at 210th ECS Meeting, Cancun, Mexico, October 29, 2006.