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序言
1
具有32納米製程的產品
2
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32納米製程
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半導體器件製造
金屬氧化物半導體場效電晶體
0
10 µm
– 1971
00
6 µm
– 1974
00
3 µm
– 1977
1.5 µm
– 1981
00
1 µm
– 1984
800 nm
– 1987
600 nm
– 1990
350 nm
– 1993
250 nm
– 1996
180 nm
– 1999
130 nm
– 2001
0
90 nm
– 2003
0
65 nm
– 2005
0
45 nm
– 2007
0
32 nm
– 2009
0
22 nm
– 2012
0
14 nm
– 2014
0
10 nm
– 2016
00
7 nm
– 2018
00
5 nm
– 2020
00
3 nm
– 2022
未來
00
2 nm
~ 2024
晶體管數量
互補式金屬氧化物半導體
半導體器件
(
多閘極電晶體
)
摩爾定律
晶體管數量
半導體
半導體產業
納電子學
閱
論
編
32
納米
製程
是
半導體製造
製程
的一個水平。自2010年開始,
英特爾
和AMD開始製造32納米的芯片產品。
[
1
]
32納米的後繼製程是22納米。
具有32納米製程的產品
[
編輯
]
英特爾
Westmere
、
Sandy Bridge
處理器。
參考文獻
[
編輯
]
^
IEEE Spectrum: The High-k Solution
.
[
2016-11-06
]
. (
原始內容
存檔於2007-10-26).
先前
45納米製程
半導體器件製造
製程
其後
22納米製程
分類
:
微技術
納米技術